近日，中国媒体报道称，芯的息E限台积电计划在1.6nm芯片工艺时，好消继续使用目前标准的光刻EUV光刻机，也就是机没数值孔径=0.33NA的光刻机，而不是有下艺达最新的High NA EUV。

台积电说是代芯到极因为其太贵了，一台要3.5亿欧元，片工接近30亿人民币，中国不划算。芯的息E限

另外，好消也因为ASML的光刻这种High NA EUV产量有限，一年才几台，机没或10来台左右，有下艺达已经被intel预订了大部分产能，代芯到极台积电也暂时抢不到货。

所以台积电基于价格、产能等，决定继续在标准EUV光刻机上，采用多重曝光技术，制造1.6nm芯片，台积电说，并不是只有High NA EUV才能进入2nm以下，标准EUV也行的。

当然，台积电也没有将话说死，也并不是说不一定不用这种High NA EUV，要看具体怀况，要看公司能取得的最佳经济与技术平衡而定。

事实上，台积电的左右为难，也是ASML当前的尴尬处境，那就是EUV光刻机更新换代越来越贵，一般的客户根本用不起。

甚至因为量产成本太高，EUV光刻机，从High NA EUV之后，可能就没有下一代了，这可能是最后一代了。

High NA EUV对应之前的标准EUV，有几大改进，一是NA也就是数值孔径从0.33变成了0.55，数值孔径越大，进入的光线越多，功率越高，那么分辨率就越高。

所以标准EUV光刻机刻画的半间距是13.5nm，而High NA EUV可以达到8nm。

另外功率方面，从1.5兆瓦，提升到2兆瓦，效率也更高了，从原来的每小时200片12寸晶圆，变成了400-500片晶圆。

在ASML之前的技术演进中，High NA EUV之后，就是Hyper NA EUV，这种EUV光刻机功率更大，NA达到0.75，分辨率更高，速度更快，效率也更高。

不过对于这种NA=0.75的光刻机，ASML也表示，因为其量产难度非常大，理论上可能存在，但实际上也许量产不了，就算量产了，成本也太贵，实际用于商用，可能很难，没有什么晶圆厂会买单。

看到这里，大家或许明白了，High NA EUV之后，继续按照EUV光刻机的路去走，已经走不通了，因为EUV光刻机或许真的没有下一代了。

而这些年，ASML不断的研发新光刻机，每次新光刻机诞生，都能推动芯片工艺的进步，可以说光刻机就是整个芯片工艺术前进的火车头。一旦ASML没有更先进的光刻机了，工艺差不多也就止步了，对于晶圆厂，对于整个芯片产业而言，都是一个不好消息，那就是芯片工艺或许也无法前进了。

那么整个芯片产业，都将陷入尴尬局面，难道大家都止步不前？等ASML的新一代光刻机？或许到这个时候，换道，换方向会是ASML或整个芯片产业的方向。

当然，这对于中国芯而言，也是一件好消息，毕竟跑在前面的被墙挡住了，只能在原地等，我们跟在后面的，相信很快也就能够追上了，你觉得呢？